従来，φ4インチのSiCインゴットからウェハーを切り出すまでの加工時間は，1枚当たり2時間前後（1インゴットあたり2.5〜3.5日）を要するが，KABRAプロセスではレーザー照射から剥離，インゴット研削までを含めても1枚当たり25分（同約18時間）と大幅に短縮する。また，φ6インチの場合でも，既存のプロセスで1枚あたり3時間強だった加工時間が約30分に短縮するとしている（図3）。

KABRAプロセスは，ラップ研削も不要になる。剥離後のウェハーのうねりが抑制されるためだが，ワイヤー加工の場合，ウェハー表面に生じる約50 μmのうねりを除去する必要があり，これにかかる時間は16時間（φ4インチの場合）を要する。この差は大きく，同社によれば，従来のインゴット1本分の加工時間が，KABRAプロセスであればインゴット2.6本を加工できるとしている。

KABRAプロセスでは，切断時点での素材ロスがないというのも特長だ。ワイヤー加工では，切断部分の素材ロス（カーフロス）がウェハー1枚あたり200 μm程度あり，研削に伴う素材ロスを含めると約300 μmの素材ロスが発生する。KABRAプロセスでは，剥離後の分離層の除去でも約100 μmに抑えられる。

これにより，φ4インチの厚さ20 mmのインゴットから350 μmの指定厚ウェハーを生産する場合，30枚しか取り出すことができないワイヤー加工プロセスに対し，KABRAプロセスでは44枚を取り出すことができ，その生産効率は約4倍に高まるという。同社は，「このカーフロスの値は，さらに削減できる見込みがある」としており，さらに生産性を高めていく見通しを示した。

今回開発したKABRAプロセスにおいて，レーザーの種類や波長などは公表していない。専用機は現在開発中で，SEMICON Japan2016（12月14日〜16日）で公開する予定だが，プロセスの評価・検証については既にユーザーとともに進めている。

同社では，「SiCは硬質で高価であるため，KABRAプロセスの加工技術の価値を提案することができる」とし，スライス工程において，レーザー加工技術を定着させていきたい考え。

同社ではこのほかにもレーザーを応用した半導体製造装置を製品化しているが，そのうち，レーザーステルスダイシング装置に関して言えば，その普及率は年間30％で推移している。今回新たに開発したKABRAプロセスの普及にも期待が集まる。今後の実用展開の行方が注目されるところだ。◇

（月刊OPTRONICS 2016年11月号掲載）