300mmファブ装置投資額，2027年に1,370億ドル

米SEMIは3月19日（米国時間），世界の300mm半導体前工程ファブ装置への投資額が，メモリ市場の回復とハイパフォーマンス・コンピューティングおよび車載アプリケーションからの強力な需要増加により，2025年に初めて1,000億ドルを超え，2027年には1,370億ドルに到達する予測を発表した（ニュースリリース）。

それによると，世界の300mmファブ装置投資額は，2027年の最高値に向かって，2025年に20％増の1,165億ドル，2026年に12％増の1,305億ドルと成長を続ける見込みだという。

中国は，政府支援ならびに国内自給政策によって今後4年間にわたり毎年300億ドルを支出し，300mmファブ装置の投資を引き続きリードすると予測する。

台湾および韓国のデバイスメーカーは，ハイパフォーマンス・コンピューティングに向けた最先端ノード需要の拡大ならびにメモリ市場の回復によって，300mmファブ装置投資額を増やしている。

2027年には，台湾の投資は2024年の203億ドルから280億ドルへと増加し第2位となり，また韓国は2024年の195億ドルから263億ドルへと増加し第3位となると予測する。

米州の300mmファブ装置投資額は，2024年の120億ドルが2027年に247億ドルへ倍増する見込みだという。その他の地域の2027年の投資額は，日本が114億ドル，欧州/中東が112億ドル，東南アジアが53億ドルに達すると予測する。

ファウンドリ分野の投資は，10nm以上の成熟ノードの投資減速が予測されることなどから2024年は4％減の566億ドルとなる見込みだが，この分野の成長は，生成AI，車載，インテリジェント・エッジ・デバイスの需要に応えるため，ほかの分野を上回る成長記録を継続している。

この分野の300mmファブ装置投資額は，2023年から2027年にかけて年平均成長率（CAGR）7.6％で増加し，791億ドルに達すると予測する。

AIサーバーに不可欠なデータスループットの向上が，広帯域幅メモリ（HBM）の強力な需要増加を喚起し，メモリ技術への投資拡大に拍車をかけている。全分野の中でメモリ分野は2番目の投資額となり，2027年の300mmファブ装置投資額は791億ドルに達し，2023年からの年平均成長率（CAGR）は20％となる見込みだという。

DRAMの投資額は2027年に252億ドル（CAGR17.4％）に，3D NANDの同年の投資額は168億ドル（CAGR29％）に達すると予測する。

アナログ，マイクロ，オプト，ディスクリートの各分野の2027年の300mmファブ装置投資額は，それぞれ55億ドル，43億ドル，23億ドル，16億ドルへと増加する見込みだという。