300mmファブ装置投資額,2027年に1,370億ドル

米SEMIは3月19日(米国時間),世界の300mm半導体前工程ファブ装置への投資額が,メモリ市場の回復とハイパフォーマンス・コンピューティングおよび車載アプリケーションからの強力な需要増加により,2025年に初めて1,000億ドルを超え,2027年には1,370億ドルに到達する予測を発表した(ニュースリリース)。

それによると,世界の300mmファブ装置投資額は,2027年の最高値に向かって,2025年に20%増の1,165億ドル,2026年に12%増の1,305億ドルと成長を続ける見込みだという。

中国は,政府支援ならびに国内自給政策によって今後4年間にわたり毎年300億ドルを支出し,300mmファブ装置の投資を引き続きリードすると予測する。

台湾および韓国のデバイスメーカーは,ハイパフォーマンス・コンピューティングに向けた最先端ノード需要の拡大ならびにメモリ市場の回復によって,300mmファブ装置投資額を増やしている。

2027年には,台湾の投資は2024年の203億ドルから280億ドルへと増加し第2位となり,また韓国は2024年の195億ドルから263億ドルへと増加し第3位となると予測する。

米州の300mmファブ装置投資額は,2024年の120億ドルが2027年に247億ドルへ倍増する見込みだという。その他の地域の2027年の投資額は,日本が114億ドル,欧州/中東が112億ドル,東南アジアが53億ドルに達すると予測する。

ファウンドリ分野の投資は,10nm以上の成熟ノードの投資減速が予測されることなどから2024年は4%減の566億ドルとなる見込みだが,この分野の成長は,生成AI,車載,インテリジェント・エッジ・デバイスの需要に応えるため,ほかの分野を上回る成長記録を継続している。

この分野の300mmファブ装置投資額は,2023年から2027年にかけて年平均成長率(CAGR)7.6%で増加し,791億ドルに達すると予測する。

AIサーバーに不可欠なデータスループットの向上が,広帯域幅メモリ(HBM)の強力な需要増加を喚起し,メモリ技術への投資拡大に拍車をかけている。全分野の中でメモリ分野は2番目の投資額となり,2027年の300mmファブ装置投資額は791億ドルに達し,2023年からの年平均成長率(CAGR)は20%となる見込みだという。

DRAMの投資額は2027年に252億ドル(CAGR17.4%)に,3D NANDの同年の投資額は168億ドル(CAGR29%)に達すると予測する。

アナログ,マイクロ,オプト,ディスクリートの各分野の2027年の300mmファブ装置投資額は,それぞれ55億ドル,43億ドル,23億ドル,16億ドルへと増加する見込みだという。

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