キヤノンは，半導体デバイスの回路パターンの転写を担うナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を2023年10月13日に発売したと発表した（ニュースリリース）。
これまでの投影露光技術とは異なる方式でパターンを形成するナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を使用した半導体製造装置を市場投入することで，半導体製造装置のラインアップを拡充し，最先端から従来の半導体デバイスまでの幅広いユーザーのニーズに応えるという。
従来の投影露光装置は，ウエハー上に塗布されたレジスト（樹脂）に光を照射し回路を焼き付けるのに対し，新製品はウエハー上のレジストに回路パターンを刻み込んだマスク（型）をハンコのように押し付けて回路パターンを形成する。
光学系という介在物がないため，マスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現できる。そのため，複雑な2次元，3次元の回路パターンを1回のインプリントで形成することも可能で，CoO（Cost of Ownership）の削減に貢献するとしている。
同社のNIL技術は，既存の最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノードにあたる最小線幅14nmのパターン形成ができる。さらに，マスクを改良することにより，2ナノノードにあたる最小線幅10nmレベルへの対応も期待されるとしている。
