TEL,次世代EUV露光装置に塗布現像装置を導入

東京エレクトロン(TEL)は,蘭imec-ASML joint high NA EUV research laboratory(imec-ASML,共同高NA EUV研究所)にて,2023年より稼動予定の次世代高NA EUV露光装置「ASML EXE:5000」(開口数NA=0.55)にインラインする塗布現像装置を導入すると発表した(ニュースリリース)。

高NA EUV露光装置は,従来のEUV露光装置を上回る,さらなる微細化対応技術として期待されている。今回,imec-ASMLに導入予定の塗布現像装置は,従来から広く使用され,実績のある化学増幅型レジストや下層膜の対応のみならず,塗布型メタル含有レジストにも対応した最新機能も搭載する。今回,インライン化により,この塗布現像装置と露光装置を一体化させ,省スペース化,高生産性を実現する。

塗布型メタル含有レジストは,高い解像度,高いエッチング耐性が実証されており,さらなる微細パターン向けレジストとして期待されている。一方で,パターン寸法の制御,ウエハー裏面・ベベル部のメタルコンタミ制御など,高度な制御が必要になる。高NA EUVパターニングはレジスト膜厚が薄く,パターンサイズが小さいため,欠陥の低減がさらに重要になるという。

今回導入する装置では,メタル含有レジストに対応した新たなプロセスモジュールを搭載し,これらの高度な課題に対応する。この塗布現像装置を用いることで,化学増幅型レジスト,メタル含有レジスト,および下層膜などさまざまな材料を,1台の装置でインライン処理でき,フレキシブルなFab運用,塗布現像装置の優位点である高生産性と高稼動率を同時に実現する。

同社は現在,EUV露光機用のインライン塗布現像装置でシェアは100%を誇る。今後,連続した複数工程向け装置をラインアップに有する強みを生かし,リソグラフィー工程向けの塗布現像に加え,エッチング工程を含む包括したパターニングソリューションを,パートナーであるレジスト材料メーカーと連携して実現するとしている。

その他関連ニュース

  • 2025年,建設開始予定の新規半導体工場は18棟 2025年01月08日
  • DNP,EUV向け2nm世代以降のパターン解像に成功 2024年12月13日
  • 浜ホト,米BAE Imagingを買収 光半導体事業を強化へ
    浜ホト,米BAE Imagingを買収 光半導体事業を強化へ 2024年12月10日
  • TEL,節水型300mmウエハーレーザー剥離装置を発売 2024年12月09日
  • ニコン,寸法を測定できる画像測定システムを発売 2024年12月05日
  • 名大,高錫組成14族ゲルマニウム錫単結晶薄膜を創製
    名大,高錫組成14族ゲルマニウム錫単結晶薄膜を創製 2024年11月29日
  • 日立ハイテクら,高分解能Laser-PEEMを半導体応用
    日立ハイテクら,高分解能Laser-PEEMを半導体応用 2024年11月12日
  • 富士フイルム,EUV用フォトレジスト/現像液を発売 2024年11月05日