ブイ・テクノロジーは，青色半導体レーザーを用いたレーザーアニール技術を開発した（ニュースリリース）。
同社は，MiniLED，OLED，μLED等の次世代ディスプレー等，シリコンを用いたデバイス製造に用いる，レーザーアニール技術の研究開発を行なっている。
中でも次世代ディスプレーの本命と目されるμLEDは製造上の課題も多く，世界中で開発競争が続いている。今回，同社が開発したのは，各種デバイスに最適な結晶状態を持つシリコン膜の製造を可能にするという，青色半導体レーザーを用いたレーザーアニール技術。
MiniLEDやμLEDにおいて，高輝度かつちらつきの無い画面を実現するためには，Si膜による作られたトランジスタ膜に高い電子移動度とストレス耐性が求められる。同社は，青色半導体レーザーを用いたレーザーアニール光学系による多結晶構造から単結晶構造までのシリコン結晶性制御技術を開発し，電子移動度に優れたシリコン単結晶を必要とするMiniLEDやμLEDのアクティブ駆動回路基板の生産に適用した。
同社は12月9日，この技術についての発表を，ディスプレー技術分野の国際ワークショップである，IDW20 Virtual Conferenceにて行なうとしている。
![](https://optronics-media.com/kijbyuj/wp-content/uploads/2026/06/CMOSsony-833x1024.webp")
