ギガフォトンのEUV光源,発光効率5%で出力105Wを達成

著者: sugi

エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)プロジェクトにおいて,ギガフォトンは最先端半導体製造ラインでの稼働を想定したEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ光源を完成させ,出力105Wの安定運転と,世界最高水準である発光効率5%を実証した(ニュースリリース)。

IT機器の高性能化・省電力化・低コスト化,さらには,あらゆるモノがインターネットにつながるIoT社会の実現のためには,半導体をより小さくする微細化技術が求められており,その鍵を握るのがEUV光源の実用化と言われている。

ギガフォトンは,これまでNEDOの助成等で,極端紫外線(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源における,20μm以下の微小ドロップレットの供給技術,固体レーザーによる改良型プリパルスレーザーと新たに導入した三菱電機製高周波放電励起式三軸直交型CO2レーザー増幅器による高光品位メインパルスレーザーの組み合わせ,エネルギー制御技術の改善,および同社独自の技術である磁場を使ったデブリ除去技術を開発してきており,2016年7月にはプロトタイプ機において出力130W以上の連続運転を達成した。

今回,ギガフォトンは,NEDOの「戦略的省エネルギー技術革新プログラム事業」で,EUVスキャナーに組み込むことを前提に設計され,かつプロトタイプ機で実証した新技術を組み込んだ半導体量産対応仕様のシステムであるパイロット光源を完成させた。

その結果,このパイロット光源にてプロトタイプ機よりも遥かに高いデューティー比95%で,出力105Wの安定運転,世界最高水準の発光効率5%を実証した。これは半導体生産のスループットを決定する平均出力で100Wに相当する。

この運転実証に成功したことは,半導体のさらなる微細化を可能とする最先端半導体製造ラインの実現に大きく近づいた証だとしてる。

キーワード:

関連記事

  • SEMI、半導体製造装置販売額は前年同期比11%増 依然としてAIが牽引

    米SEMIは、半導体製造装置の2025年第3四半期における世界総販売額が、前年同期比11%増、前期比では2%増の336億6,000万ドルであったと発表した(ニュースリリース)。 販売額の増加は、AIコンピューティング向け…

    2025.12.04
  • 東大ら,分子半導体でキャリア特異的輸送異方性実証

    東京大学,横浜国立大学,産業技術総合研究所,東京理科大学は,独自に開発した単一のアンバイポーラ(両極性)分子半導体において,正の電荷を持つ正孔と負の電荷を持つ電子がそれぞれ全く異なる方向に流れやすい性質(キャリア特異的輸…

    2025.09.11
  • 東レ,光集積回路の量産に向け極薄チップを最速実装

    東レエンジニアリングは,ポスト5G情報通信システムで用いる先端半導体や次世代光集積回路の量産に向けて,極薄チップを業界最高水準となるスループットで実装する技術を開発した(ニュースリリース)。 ポスト5G時代の情報通信シス…

    2025.09.03
  • オーク製作所,ダイレクト露光装置で1μm回路形成

    オーク製作所は,NEDOの委託事業「省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業」において,フォトマスクを使用せず,半導体基板に回路パターンを焼き付けるダイレクト露光装置で,従来よりも高い解像性および位置合わ…

    2025.09.01
  • ウシオ,解像度1.5μmのステッパ露光装置を上市予定

    ウシオ電機は,半導体アドバンスドパッケージ向けステッパとして,解像度L/S=1.5μm,1ショット100mm角以上の露光フィールドを実現する露光装置「UX-59113」の開発目途がたち,2026年度中に上市予定であると発…

    2025.08.18
  • 東北大ら,Ge半導体に適した電極を発見し接合に成功

    東北大学と産業技術総合研究所は,層状物質であるテルル化ビスマス(Bi2Te3)薄膜とn型Geを反応させることで,非常に電気が流れやすい界面の形成に成功した(ニュースリリース)。 現在のスマートフォンやパソコンの性能を支え…

    2025.08.01
  • OKI,300mmシリコンウエハーに異種材料集積を実現

    OKIは,同社独自技術であるCFB(Crystal Film Bonding)技術を用いたタイリングCFB技術を開発した(ニュースリリース)。 近年,AIの急速な発展によりデータセンター需要が拡大し,処理能力拡大と消費電…

    2025.07.17
  • 東大ら,新窒化物半導体ヘテロ接合の電子散乱を解明

    東京大学,住友電気工業は,新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子ガスの散乱機構を解明した(ニュースリリース)。 窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)は,バンドギャップが大きく,強い分極,強誘電性を有しており,…

    2025.07.09

新着ニュース

人気記事

新着記事

  • オプトキャリア