東芝,600V系スーパージャンクションMOSFET DTMOSⅣ高速ダイオードシリーズを発売

東芝は,第4世代600V系スーパージャンクションMOSFET「DTMOSⅣ」の高速ダイオードシリーズを製品化した。シングルエピタキシャルプロセスの採用により,同社従来製品から約30%削減した,業界最高レベルのRON·A (単位面積あたりのオン抵抗)を実現した。また,寄生ダイオードの高速化により,同社従来製品に比べ約1/3のリバースリカバリ時間を実現し,損失低減によって電源効率の改善に貢献する。

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