LSI

東工大ら，最小クロック回路を5nm CMOSで開発

東京工業大学，ソシオネクストの研究グループは，最先端の5nm FinFET CMOSプロセスで世界初となる世界最小の高性能分数分周型クロック回路の開発に成功した（ニュースリリース）。 この成果は，従来のデジタルPLL（ク […]

• ニュース
• 光関連技術
• 科学・技術

2020.02.12

産総研，Ge超薄膜で電子移動度の向上を確認

産業技術総合研究所（産総研）は，シリコン（Si）の性能を凌駕する材料として有望視されているゲルマニウム（Ge）の膜厚10nm以下の均一な超薄膜構造の作製法を開発した（ニュースリリース）。 さらにこのナノメートルレベルの均 […]

• ニュース
• 科学・技術

2017.06.06

NEC，宇宙向け放射線耐性LSI技術を開発

NECと産業技術総合研究所（産総研）は，産総研などが推進するオープンイノベーション拠点TIAを活用し，宇宙でのLSI利用に向けて，優れた放射線耐性をもつ独自の金属原子移動型スイッチ「NanoBridge(R)」技術を搭載 […]

• ニュース
• 光関連技術
• 科学・技術

2017.03.08

東北大ら，MEMSとLSIの集積プラットフォームを開発

東北大学は，「先端融合領域イノベーション創出拠点形成プログラム」の協働企業と共同で，MEMS技術による3軸力センサーと，多数のセンサーを制御できる専用LSI「センサプラットフォームLSI」とをワンチップ化した集積化触覚セ […]

• ニュース
• 科学・技術

2017.03.08

産総研，新原理の超低消費電力LSIを開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）プロジェクト「エネルギー・環境新技術先導プログラム／ULPセンサモジュールの研究開発」における成果をもとに，産業技術総合研究所（産総研）は0.2～0.3Vの超低消費電力で駆動 […]

• ニュース
• 科学・技術

2016.12.05