励起子モット転移

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  • 東大ら,光照射した半導体で異常な金属状態を発見

    東京大学と米プリンストン大学は,光照射された半導体にできる電子と正孔の集団を舞台として生じる,絶縁体から金属への転移(励起子モット転移)の境界領域で,異常な金属状態が発現することを発見した(ニュースリリース)。 半導体に...

    2017.02.10

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