ホイスラー合金磁石

阪大，GaNへ最高効率・低消費電力でスピンを注入

大阪大学の研究グループは，日本発の高性能半導体材料として注目されている窒化ガリウム（GaN）上に高性能スピントロニクス材料（ホイスラー合金磁石）を作製することに成功し，高性能磁石/GaNからなる低接合抵抗電極構造を用いた […]

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2023.05.10