スピントランジスタ

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  • 東大,酸化物素子で巨大磁気抵抗と電流変調を実現

    東京大学の研究グループは,スピントランジスタの基本となる強磁性体/半導体/強磁性体構造からなる横型2端子素子を単結晶酸化物を用いて作製することにより,従来の10倍以上の大きな磁気抵抗比を得ることに成功し,ゲート電圧による...

    2023.06.01

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