三菱電機は，次世代の光ファイバー通信速度800Gb/sや1.6Tb/sに対応可能な，データセンター向け光トランシーバーに搭載される受信用光デバイスの新製品として「800Gb/s／1.6Tb/s光ファイバー通信用200Gb/s pin-PDチップ」のサンプル提供を10月1日に開始すると発表した（ニュースリリース）。

IoT技術の発展を背景に，ネットワークに接続される端末の増加に加え，高解像度映像ストリーミングや生成AI技術の利用が拡大するなど，データ通信量が飛躍的に増加していることで，ネットワークの高速化や大容量化がこれまで以上に求められている。

特に，市場が急拡大しているデータセンターでは，従来の光ファイバー通信速度400Gb/sから次世代の800Gb/sや1.6Tb/sへの移行が進んでおり，生成AI用演算機器のデータ通信経路を切り替えるスイッチを構成する光トランシーバーに高速・大容量通信が求められている。

一方，光トランシーバーは，送信用の光デバイスでは次世代の800Gb/sや1.6Tb/sへ対応する製品が市場投入されているのに対して，受信用の光デバイスにおいては，性能を満たす製品が少ないという課題があった。

同社は，光トランシーバーに搭載される送信用の光デバイスでは「200Gb/s（112Gbaud PAM4）EMLチップ」を2024年4月より量産しているが，今回新たに，受信用の光デバイス「200Gb/s pin-PDチップ」のサンプル提供を開始するという。

裏面入射型構造と凸レンズ集積構造の採用で光電変換領域を可能な限り小さくしたことで，高速動作を実現したPDチップを新開発した。光トランシーバー内にこのチップを4つ搭載することで，1台の光トランシーバーで800Gb/s，8つ搭載することで1.6Tb/sの通信が可能となり，データセンター内通信の高速・大容量化に貢献するとしている。

また，このPDチップは，凸レンズ集積構造の採用とフリップチップ実装に対応することで，光トランシーバーの組み立て作業の効率化や製造コスト削減に寄与するという。