2030年,ワイドバンドギャップ半導体市場3176億円

矢野経済研究所は,世界のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場を調査し,製品セグメント別の動向,参入企業動向,将来展望を明らかにした(ニュースリリース)。

それによると,Si(シリコン)を代替する半導体材料として,ワイドバンドギャップ半導体単結晶はパワー半導体(デバイス)を中心に採用が進んでおり,市場も年々拡大しているという。

2022年のワイドバンド半導体単結晶世界市場(メーカー出荷金額ベース)を182億7,100万円と推計,2023年の同市場は前年比147.1%の268億8,500万円になると予測した。

材料別に2023年の市場をみると,炭化ケイ素(SiC)が202億9,300万円(構成比75.5%),窒化ガリウム(GaN)は46億4,700万円(同17.3%),酸化ガリウム(Ga2O3)が5億3,100万円(同2.0%),窒化アルミニウム(AlN)は10億8,000万円(同4.0%),ダイヤモンドが3億3,500万円(同1.2%)の見込みで,多くのアプリケーションに採用されているSiCが市場の4分の3を占める見通しだという。

今回の調査で注目したダイヤモンドは,2023年現在,Orbrayから直径2インチのダイヤモンドウエハーの供給が始まろうとしている。また,大熊ダイヤモンドデバイスでもダイヤモンドを使用した電子デバイスの量産化が準備されている状況にある。

次世代半導体材料のウエハーとして市場拡大するためには,優れた物質特性を持つダイヤモンドは,他の材料が対応しきれない,ニッチであるが非常に付加価値の高いニーズのデバイスに搭載されることが必須となる。

それはダイヤモンド基板でしか実現できないデバイスであり,そこでの活躍は規模こそ小さいが,極めて重宝されるポジションに位置付けられ,そのプレゼンスを不動のものにすると考えられるという。

ワイドバンドギャップ半導体単結晶世界市場は今後のパワーデバイスの採用拡大に伴い,市場は拡大で推移する見通しであるという。2030年のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場を3,176億1,200万円と予測した。

材料別市場規模をみると,SiCが3,073億4,800万円,GaNは52億8,000万円,Ga2O3が30億5,600万円,AlNは13億5,000万円,ダイヤモンドが5億7,800万円と予測する。また,材料別構成比はSiCが96.8%を占めており,量産・普及時期となる材料とそれ以外の差が顕著になる見込みであるという。

SiCでは口径6インチウエハーが市場のほとんどを占め,8インチの市場投入も始まるタイミングが見えつつある。商流の川上川下含む提携や関連する企業も増えており,また,ワイドバンドギャップ半導体単結晶同士での競争も激しくなりつつあり,性能やコストの戦いの中から新規材料の将来が決まるとしている。

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