横浜国立大学の研究グループは，マイクロメートル厚の透明セラミックス結晶の高効率製造技術を確立した。（ニュースリリース）。
産業用や医療用の非破壊検査装置の高機能化に向けたキーマテリアルとして，マイクロメートル厚のシンチレータ結晶がある。従来は，2000°C以上の超高温の原料融液から育成した大型の単結晶インゴットを，切断・研磨することで薄片化していたが，製造コストや材料廃棄物の発生が課題だった。
研究では，化学気相析出法を用い，原料ガスから1~25μm厚の透明なシンチレータ結晶を低温かつ高速にオンデマンド製造できる技術を確立した。具体的には，自作の化学気相析出装置を用いて，下地基板上に1~25μm厚のCe3+添加LuAG結晶を形成した。
原料ガスとしてルテチウム（Lu），アルミニウム（Al）およびセリウム（Ce）元素の有機金属化合物と酸素ガスを用い，下地基板には，市販のイットリウムアルミニウムガーネット単結晶を用いた。レーザー源には炭酸ガスレーザーを用いた。
α線照射に対するシンチレーション特性評価は，241Am線源と光電子増倍管を用いた測定系をセットアップし，X線撮像試験は，汎用X線源とCMOSカメラを組み合わせた撮像系を自作した。LuAG結晶中でのα線およびX線の侵入深さに対するエネルギー吸収量は，SRIMおよびXCOMを用いた数値計算により見積もった。
Ce3+イオンを微量添加したLuAGシンチレータ結晶を製造したところ，結晶成長に要した温度は900°Cであり，LuAGの融点（2048°C）の半分以下だった。所要時間はわずか1~30分であり，一般的な気相成長法の数十~数百分の一だという。
結晶の厚みを変えてα線照射に対するシンチレーション発光収率を調べたところ，15μmの厚みを持つ結晶が最も高い発光収率（31000 photons per 5.5 MeV）を示し，シミュレーション結果と一致した。この発光収率は，市販のLuAG単結晶（1mm厚と30μm厚に加工されたもの）の値（17000–21000 photons per 5.5 MeV）を凌駕している。
これは，この技術により高品質シンチレータ結晶の製造が可能であることを示唆するもの。この結晶をシンチレーションスクリーンとして用いたX線撮像試験では，メモリーカード内部の電子回路の明瞭な透過像を得ることができたという。
研究グループは，この技術の対象材料はシンチレーション結晶に限定されず，様々な機能性結晶に適用することが可能だとしている。
