TEL，次世代EUV露光装置に塗布現像装置を導入

東京エレクトロン（TEL）は，蘭imec-ASML joint high NA EUV research laboratory（imec-ASML，共同高NA EUV研究所）にて，2023年より稼動予定の次世代高NA EUV露光装置「ASML EXE:5000」（開口数NA=0.55）にインラインする塗布現像装置を導入すると発表した（ニュースリリース）。

高NA EUV露光装置は，従来のEUV露光装置を上回る，さらなる微細化対応技術として期待されている。今回，imec-ASMLに導入予定の塗布現像装置は，従来から広く使用され，実績のある化学増幅型レジストや下層膜の対応のみならず，塗布型メタル含有レジストにも対応した最新機能も搭載する。今回，インライン化により，この塗布現像装置と露光装置を一体化させ，省スペース化，高生産性を実現する。

塗布型メタル含有レジストは，高い解像度，高いエッチング耐性が実証されており，さらなる微細パターン向けレジストとして期待されている。一方で，パターン寸法の制御，ウエハー裏面・ベベル部のメタルコンタミ制御など，高度な制御が必要になる。高NA EUVパターニングはレジスト膜厚が薄く，パターンサイズが小さいため，欠陥の低減がさらに重要になるという。

今回導入する装置では，メタル含有レジストに対応した新たなプロセスモジュールを搭載し，これらの高度な課題に対応する。この塗布現像装置を用いることで，化学増幅型レジスト，メタル含有レジスト，および下層膜などさまざまな材料を，1台の装置でインライン処理でき，フレキシブルなFab運用，塗布現像装置の優位点である高生産性と高稼動率を同時に実現する。

同社は現在，EUV露光機用のインライン塗布現像装置でシェアは100%を誇る。今後，連続した複数工程向け装置をラインアップに有する強みを生かし，リソグラフィー工程向けの塗布現像に加え，エッチング工程を含む包括したパターニングソリューションを，パートナーであるレジスト材料メーカーと連携して実現するとしている。