東芝デバイス＆ストレージは，半導体リレーの一種であるソリッドステートリレー（SSR）に使用する高耐圧パワーMOSFETのゲート駆動に適した，薄型SO6Lパッケージのフォトボルタイック出力フォトカプラ「TLP3910」の販売を開始した（ニュースリリース）。

SSRは，出力側のデバイスとしてフォトトライアック／フォトトランジスター／フォトサイリスター等の半導体デバイスを用いたリレーで，大電流をON/OFF制御する応用に適している。また，フォトボルタイックカプラは，光素子とMOSFETからなるフォトリレーから，スイッチ機能を担うMOSFETを除いた製品で，絶縁型SSRを構成する際，フォトボルタイックカプラとMOSFETを組み合わせることで，フォトリレーでは難しい高電圧・大電流のスイッチが容易に実現できるという。

同社の従来製品「TLP191B」や「TLP3906」では，高耐圧パワーMOSFET駆動時のゲート電圧が10V以上の場合，開放電圧が足りずに，2個直列で使用する必要があった。「TLP3910」は，最小開放電圧が従来製品と比べて2倍の14Vで，高耐圧パワーMOSFETのゲートを1個で駆動することができ，部品点数の削減が可能だとしている。さらに，内蔵放電回路の性能向上により，標準ターンオフ時間を「TLP3906」と比べて約1/3，「TLP191B」と比べて約1/30の0.1msに短縮し，高速化した。

「TLP3910」は，フォトボルタイックカプラでは同社初の最小沿面・空間距離8mm，最小絶縁耐圧5000Vrmsを実現し，AC400V系で駆動する産業機器等への応用を可能にし，高温動作125°C対応により応用範囲を広げたという。

この製品の主な応用機器は以下のとおり。
・絶縁型SSR（スイッチ用高耐圧パワーMOSFETのゲート駆動）
・産業機器（プログラマブルロジックコントローラーなどI/Oのリレー接点出力，ブレーキシステムソレノイド駆動制御部，主電源回路・突入電流防止回路，BMS（Battery Management System）のバッテリー電圧監視部，地絡検出部）
・計測機器（電源ライン切替，測定ライン切替）

この製品の主な特長は以下のとおり。
・高い開放電圧：VOC=14V（min）
・短絡電流：ISC=12μA（min）@IF=10mA（C20ランク品）ISC=20μA（min）@IF=10mA
・高い絶縁耐圧：BVS=5000Vrms（min）
・高い動作温度定格：Topr（max）=125°C
・沿面/空間距離：8mm（min）