ギガフォトンは，新技術を採用した最新半導体製造ArF液浸用リソグラフィ光源「GT66A」の量産出荷を開始した（ニュースリリース）。
最先端デバイス製造は，現在，ロジックデバイスでは3nmノードのプロセス開発が開始，DRAMでは1Znmノードの量産が開始されている。これらの超微細デバイスでは，ウエハーに転写される露光パターンのラフネス低減が課題となっており，回路パターンを忠実に再現し量産でのイールド向上が重要となっているという。
この光源は，新開発の光学モジュールによりパルス発光時間を従来の3倍以上伸長することで，露光面でのビーム均一性の改善を実現し，ラフネスを低減することに成功。さらに，最新の高耐久性部品を導入することにより，モジュールのメンテナンスサイクルを30%延長しているという。
また，この光源は，オランダASMLの最新ArF液浸露光装置「NXT:2050i」用光源としての認定が完了し，エンドユーザーに向けた光源の量産出荷が開始されるという。
近年の半導体チップには通信速度のさらなる高速化とより大量のデータ処理が求められており，さらなるリソグラフィ技術の革新による高い生産性が求められている。同社は技術革新によるイメージング性能の改善と，光源のアベイラビリティの向上により，次世代の産業界の発展に貢献していくとしている。
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