東北大ら,水を出し入れする有機半導体を作製

著者: sugi


東北大学と京都大学の研究グループは,イオン性ナフタレンジイミド誘導体を用いて,有機結晶であるにもかかわらず堅牢な結晶格子を有するn型有機半導体材料を作製する事に成功した(ニュースリリース)。

多くの有機電子材料は酸素や水の存在下で性能が劣化する。特に,電子をキャリアとするn型有機半導体材料は,水が電子に対するトラップサイトとして働くため,水の存在する場所で安定なデバイス動作を可能とする有機材料は極めて少ない。

研究グループでは,水の影響を受けにくいn型有機半導体材料を開発し,高い熱的安定性と結晶格子への可逆な水の出し入れに伴う興味深い伝導度スイッチング現象を見出した。

電子を受け取り易い性質を持つn型有機半導体材料に,アニオン性のプロピオネート基を導入したPCNDI2-分子を合成し,そのカリウム(K+)塩の結晶を作製した。これは,塩(NaCl)やKClと同様なイオン性結晶であり,K+カチオン-アニオン間の強いクーロン力により結晶格子が構成されている。

その結晶構造の特徴は,PCNDI2-のπ平面が二次元的に相互作用した電子伝導層とプロピオネートアニオンとK+により強固に結合した静電ネットワーク層が交互に配列している。

静電ネットワーク層には,水分子を可逆に出し入れすることが可能であり,これは298KにおけるH2O分子の吸着等温線から確認できたという。また,結晶の熱的安定性は,その分解温度が500K以上であり,有機材料としては非常に高い安定性を示した。

この水の可逆な出し入れは結晶構造を破壊する事なく起こり,何度でも水を出し入れできる。水の存在は,一般的にはn型半導体材料の電子移動度を大きく低下させるが,今回の結果では,結晶の電子移動度は水の吸着により0.04から0.28cm2V-1s-1へと約1桁程度も大きくなったという。

さらに,K+イオン伝導性を評価したところ,水の吸着に伴い3.4×10-5から4.7×10-7Scm-1とイオン伝導性が2桁も低下する事がわかった。電子とイオンの移動度が,水の出し入れに対して可逆にその大小関係をスイッチングさせる材料である事を見出した。

これにより,有機エレクトロニクスの応用範囲が飛躍的に広がると期待できる。また,水の出し入れに伴う電子-イオン輸送特性のスイッチングは,水に限らずいろいろな分子を可逆に結晶中に出し入れし,その電気的特性が変化する超高感度分子センサなどへの応用が期待できるとしている。

キーワード:

関連記事

  • 東大ら,有機半導体によるUHF帯整流ダイオード開発

    東京大学,物質・材料研究機構,岡山大学,米ジョージア工科大学,米コロラド大学は,有機半導体を用いた整流ダイオードにおいて,920MHzの交流電力を直流電力に実用的な効率で変換することに,世界で初めて成功した(ニュースリリ […]

    2025.09.25
  • 東大ら,分子半導体でキャリア特異的輸送異方性実証

    東京大学,横浜国立大学,産業技術総合研究所,東京理科大学は,独自に開発した単一のアンバイポーラ(両極性)分子半導体において,正の電荷を持つ正孔と負の電荷を持つ電子がそれぞれ全く異なる方向に流れやすい性質(キャリア特異的輸 […]

    2025.09.11
  • 東レ,光集積回路の量産に向け極薄チップを最速実装

    東レエンジニアリングは,ポスト5G情報通信システムで用いる先端半導体や次世代光集積回路の量産に向けて,極薄チップを業界最高水準となるスループットで実装する技術を開発した(ニュースリリース)。 ポスト5G時代の情報通信シス […]

    2025.09.03
  • オーク製作所,ダイレクト露光装置で1μm回路形成

    オーク製作所は,NEDOの委託事業「省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業」において,フォトマスクを使用せず,半導体基板に回路パターンを焼き付けるダイレクト露光装置で,従来よりも高い解像性および位置合わ […]

    2025.09.01
  • 東北大ら,Ge半導体に適した電極を発見し接合に成功

    東北大学と産業技術総合研究所は,層状物質であるテルル化ビスマス(Bi2Te3)薄膜とn型Geを反応させることで,非常に電気が流れやすい界面の形成に成功した(ニュースリリース)。 現在のスマートフォンやパソコンの性能を支え […]

    2025.08.01
  • OKI,300mmシリコンウエハーに異種材料集積を実現

    OKIは,同社独自技術であるCFB(Crystal Film Bonding)技術を用いたタイリングCFB技術を開発した(ニュースリリース)。 近年,AIの急速な発展によりデータセンター需要が拡大し,処理能力拡大と消費電 […]

    2025.07.17
  • 東大ら,新窒化物半導体ヘテロ接合の電子散乱を解明

    東京大学,住友電気工業は,新規窒化物半導体ヘテロ接合における二次元電子ガスの散乱機構を解明した(ニュースリリース)。 窒化スカンジウムアルミニウム(ScAlN)は,バンドギャップが大きく,強い分極,強誘電性を有しており, […]

    2025.07.09
  • KEK,加速器による最先端半導体露光技術の研究促進

    高エネルギー加速器研究機構(KEK)は,加速器による半導体露光技術の研究開発を促進すると発表した(ニュースリリース)。 最先端の半導体である3nmプロセスに用いられる極端紫外線(EUV)のレーザーは赤外線からのエネルギー […]

    2025.06.30
  • オプトキャリア