東京大学，富山高等専門学校，筑波大学，北里大学，産業技術総合研究所は，特異な構造相転移挙動により，高溶解性・高移動度・環境ストレス耐性を実現した高製造プロセス適性かつ高性能有機半導体を開発した（ニュースリリース）。
一般に，有機半導体はベンゼン環やヘテロール環が単結合もしくは縮環したπ電子系分子からなる。半導体性能として求められる電荷輸送能の指標である移動度や用いられる電極からの電荷注入のしやすさ（電荷注入能）を向上・改善するためには，π電子系骨格の拡張とその骨格が電荷輸送に有利な2次元集合体構造を形成することが重要となる。
これまでの有機半導体の開発により，市販されている製品中のアモルファスシリコンよりも1桁以上高い10cm2/Vs級の移動度を有する有機半導体が報告されている。しかしながら，高性能有機半導体分子の多くは，一般的な有機溶媒に対する溶解性が乏しく，適用できる製造プロセスが限られていることが課題だった。
研究グループでは，これまで報告されている他の有機半導体に見られない集合体構造間の特異な相転移によって，製造プロセス適性が高く高性能の有機半導体であるデシル置換セレン架橋V字型分子C10–DNS–VWを開発した。
大型放射光施設SPring-8（ビームラインBL02B1）では，C10–DNS–VWは，高溶解性で電荷輸送に不利な1次元集合体構造と低溶解性で電荷輸送に有利な2次元集合体構造の異なる2種類の集合体構造を形成することがわかった。
興味深いことに，蒸着法および塗布結晶化法などの製造プロセスの種類に関わらず，薄膜作製時には電荷輸送に有利な2次元構造が再現性よく得られ，塗布プロセスで得られた単結晶薄膜を用いたトランジスタにおいて，世界最高レベルの11cm2/Vsの移動度，良好な電荷注入特性，高環境ストレス耐性が得られたという。
今回開発した有機半導体は，蒸着法や印刷法などの各種製造プロセスに対する適合性が高く，電子タグやマルチセンサーなどの各種ハイエンドデバイス開発が加速し，次世代のプリンテッド・フレキシブルエレクトロニクス分野の起爆材料となることが大いに期待されるとしている。
