昭和電工は，パワー半導体の材料である炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウェハ（エピウェハ）の6インチ（150mm）品の生産能力を月産 400枚から1,100枚に増強した（ニュースリリース）。

これにより，同社の月産能力は4インチ（100mm）換算で従来の約6割増となる2,500枚になった。 また，高性能デバイスに対応し，低欠陥化（現状の欠陥密度の平均値0.5個／cm²に対し，新グレード品は平均0.25個／cm²）を進めた新グレード製品の出荷を10月より開始する。これにより，大型チップの収率（歩留まり）は従来品に比べ10%以上の向上が見込めるとしている。

SiCパワー半導体は，次世代型パワー半導体として注目されている。すでにデータセンターのサーバ電源や新エネル ギーの分散型電源，地下鉄車両に採用されているが，先般，自動車への搭載が表明されるなど，今後，一層の需要拡大が期待されている。

同社はSiCエピウェハに関して3インチ（76.2mm）品，4インチ品，および6インチ品の製造，販売を行なっており，特にデバイスの生産効率が高い大口径6インチ品の供給を拡大するため，全サイズに対応可能なCVD装置を増設した。新装置は従来装置に比べエピの生産効率性が約30%高 く，デバイスのさらなるコスト低減にも貢献するという。

SiCパワー半導体の市場規模は2020年に300億円規模に拡大すると予想されている。同社は今後も市場の要求品質に応えるとしている。