本会議の目的は、炭化ケイ素（SiC）および窒化物、酸化物、ダイヤモンド系材料を含む関連材料に関する結晶成長、特性評価、材料特性の制御、デバイス製造およびパッケージング技術、システム応用、量子応用における最近の進歩について議論することです。
さらに、デバイスの性能と信頼性を向上させるためのデバイス設計、製造、特性評価、パッケージング、システム応用における最新の研究成果について議論し、グリーンイノベーションのための最先端デバイスおよびシステムの実現に貢献することを目指します。
本会議はまた、産業界、学術界、公共部門の研究者や技術者の間で、最新の科学技術問題に関する意見交換を行う国際フォーラムとしての役割も果たします。
本会議の範囲は、炭化ケイ素および関連材料、III族窒化物、酸化物、ダイヤモンドなどの他のワイドバンドギャップ（WBG）半導体に関する以下のトピックを網羅しています。
E-mail： secretariat@icscrm2026.org
