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NIMS,GaNで高性能MEMS振動子を開発

物質・材料研究機構(NIMS)は,窒化ガリウム(GaN)の熱によるひずみを制御することで,高温でも安定に動作するMEMS振動子を開発した(ニュースリリース)。 自動運転や先進運転支援システム,鉄道などの通信には高精度な同 […]