通信ネットワークの通信量は年率40%で激増しているが，ネット上の動画の普及，デジタル化に伴う放送と通信の融合などにより，2030年にも通信量は現在の千倍のネットワーク容量が必要になると考えられている。

また，電子ルータの国内総消費電力もトラフィックに比例して増大しており，単純に延長すると2020年には，国内総発電量にまで達する。この増大は，主に情報量の大きい4Kや8Kといった高精細映像によると考えられている。そのため，抜本的な低電力化ネットワーク技術が必要とされている。

こうした状況の中，産業総合研究所など企業10社は文部科学省 地域産学官連携科学技術振興事業費補助金・イノベーションシステム整備事業「Victories（Vertically Integrated Center for Technologies of Optical Routing toward Ideal Energy Savings）」において，共同で大容量・低消費電力を可能にする光ネットワーク・デバイス技術の開発を行なっている。

一つには，シリコンフォトニクスによる光パスプロセッサの開発。現在，ネットワークトラフィックの一部を，ネットワークノードで光のまま転送する仕組みが実用化されつつあるが，特にエンドツーエンドで伝送することが，ネットワークの効率的運用につながる。

そこで光パス・ネットワーク上でダイナミックに経路を切り替えられるように100ポート以上の入出力ポートを備えた光パススイッチが求められている。産総研はSi導波路チップを実装した4×4光パススイッチを開発しており，さらに今年のECOCでは8×8光パススイッチを発表した。産総研担当者によると，「光パス・ネットワークを構築する上で512×512光パススイッチが必要」という。来年にもこの光パススイッチを搭載したフィールドデモを行なう計画だ。

二つ目としては，大容量伝送に向け，チップ面積が1mm²の超小型高速半導体光ゲートスイッチを開発中だ。InGaAs/AlAsSb量子井戸では，この高速現象を起因とする位相変調効果があるが，この超高速全光位相変調の効果をもつ光導波路をInP基板上にモノリシック集積した超小型の半導体ゲートスイッチ素子を開発した。

この光ゲートスイッチ素子を用いて160Gb/sの超高速光信号を40Gb/sの光信号に多重分離することにも成功した。半導体量子井戸のサブバンド間遷移においてゲート幅は，20から30ピコ秒としている。

また，多粒度階層型ダイナミックノード技術の開発を進めており，協働10社との垂直融合型研究体制を構築。この連携では光パス・ネットワークのトポロジーを検討しながら，これを構成する光ノードにおいて，光伝送路の様々なパラメータをダイナミック，かつ自律的に最適化する光パス・ネットワーク技術の実証に向け，つくば地区での実運用ネットワークテストヘッド構築に取り組んでいる。