三菱,光トランシーバー用チューナブルLDチップ開発

三菱電機は、光ファイバー通信用光トランシーバーに搭載される光デバイスの新製品として,デジタルコヒーレント通信の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献する「チューナブルレーザーダイオードチップ」のサンプル提供を10月1日に開始すると発表した(ニュースリリース)。

第5世代移動通信システム網の拡大や動画配信サービスの普及によるデータ通信トラフィックの急増に伴い,光ファイバー通信の長距離通信網やデータセンター間の通信網などで,従来の100Gb/sから400Gb/sへの高速大容量化が求められており,既存の光ファイバーの通信効率を高めるため,デジタルコヒーレント通信方式の適用が拡大している。

一方,高速大容量対応の光トランシーバーを既存の限られたスペースに新たに設置するには,光トランシーバーのさらなる小型化が必要だが,パッケージで提供されているチューナブルレーザーダイオードでは,光トランシーバーの小型化が難しいという課題があった。

今回,同社が開発した「チューナブルレーザーダイオードチップ」は,デジタルコヒーレント通信で用いられる1.55μm帯のレーザー光を出力し,400Gb/s光トランシーバー標準規格(OIF-400ZR-01.0)に準拠した広い波長帯に対応することで,デジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献するという。

また,チップでの提供により,顧客の光トランシーバーに最適なパッケージ設計が可能になる。さらに,これまで同社が開発してきた移動通信システム基地局向けDFBレーザーやデータセンター向けEMLチップで採用している半導体製造技術を基に設計しており,高い信頼性を有しているとする。

この製品の主な特長は以下の通り。
・1~16チャネルの異なる発振波長を持つ16個のDFBレーザーを並列に配置したアレイ構造の採用で,広い波長帯に対応
・チップの温度制御により,チャネルごとに約2.7nmの波長変更を可能とし,発振波長1527.994~1567.133nmの1.55μm帯レーザー光出力を実現
・400Gb/s光トランシーバー標準規格(OIF-400ZR-01.0)に準拠したデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献
・チップで提供することにより,顧客のパッケージ設計における他の光学部品との共通化や部品配置の最適化を可能とし,光トランシーバーの小型化に貢献

その他関連ニュース

  • NICTら,標準外径の光ファイバで1.53Pb/s伝送に成功 2022年10月03日
  • 古河電工,100mWDFBレーザーダイオードチップ開発 2022年09月28日
  • NICTら,実環境での15モード光スイッチングに成功 2022年09月26日
  • 京大ら,フォトニック結晶レーザーで自遊空間通信 2022年09月26日
  • NEC,オープン仕様の光トランスポート装置を発売 2022年09月15日
  • 富士通,1波1.2Tb/sの水冷デジコヒ伝送装置を開発 2022年09月14日
  • NTT,1波長1.2Tb/sの信号処理回路とデバイス開発 2022年09月09日
  • モレックス,CPO向け光電インターコネクトを発表 2022年09月08日