三菱，光トランシーバー用チューナブルLDチップ開発

三菱電機は、光ファイバー通信用光トランシーバーに搭載される光デバイスの新製品として，デジタルコヒーレント通信の大容量化と光トランシーバーの小型化に貢献する「チューナブルレーザーダイオードチップ」のサンプル提供を10月1日に開始すると発表した（ニュースリリース）。

第5世代移動通信システム網の拡大や動画配信サービスの普及によるデータ通信トラフィックの急増に伴い，光ファイバー通信の長距離通信網やデータセンター間の通信網などで，従来の100Gb/sから400Gb/sへの高速大容量化が求められており，既存の光ファイバーの通信効率を高めるため，デジタルコヒーレント通信方式の適用が拡大している。

一方，高速大容量対応の光トランシーバーを既存の限られたスペースに新たに設置するには，光トランシーバーのさらなる小型化が必要だが，パッケージで提供されているチューナブルレーザーダイオードでは，光トランシーバーの小型化が難しいという課題があった。

今回，同社が開発した「チューナブルレーザーダイオードチップ」は，デジタルコヒーレント通信で用いられる1.55μm帯のレーザー光を出力し，400Gb/s光トランシーバー標準規格（OIF-400ZR-01.0）に準拠した広い波長帯に対応することで，デジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献するという。

また，チップでの提供により，顧客の光トランシーバーに最適なパッケージ設計が可能になる。さらに，これまで同社が開発してきた移動通信システム基地局向けDFBレーザーやデータセンター向けEMLチップで採用している半導体製造技術を基に設計しており，高い信頼性を有しているとする。

この製品の主な特長は以下の通り。
・1～16チャネルの異なる発振波長を持つ16個のDFBレーザーを並列に配置したアレイ構造の採用で，広い波長帯に対応
・チップの温度制御により，チャネルごとに約2.7nmの波長変更を可能とし，発振波長1527.994～1567.133nmの1.55μm帯レーザー光出力を実現
・400Gb/s光トランシーバー標準規格（OIF-400ZR-01.0）に準拠したデジタルコヒーレント通信の大容量化に貢献
・チップで提供することにより，顧客のパッケージ設計における他の光学部品との共通化や部品配置の最適化を可能とし，光トランシーバーの小型化に貢献