昭和電工のSiCウエハー技術,NEDOプロに採択

昭和電工は,新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)が実施者を公募したグリーンイノベーション基金事業「次世代デジタルインフラの構築」プロジェクトの研究開発項目の一つである「次世代パワー半導体に用いるウェハ技術開発」に対し,「次世代グリーンパワー半導体に用いるSiCウェハ技術開発」を提案し,採択されたと発表した(ニュースリリース)。

グリーンイノベーション基金事業(GI基金事業)は,日本政府が目標として掲げる「2050年カーボンニュートラル」の実現に必要なエネルギー・産業部門の構造転換や大胆な投資によるイノベーションを大幅に加速するため,2020年10月に経済産業省によって総額2兆円の規模でNEDOに造成された。

GI基金事業は,官民で野心的かつ具体的な目標を共有し,これに経営課題として取り組む企業などを研究開発・実証から社会実装まで継続して支援するもの。

同社のパワー半導体用SiCエピタキシャルウエハー(SiCエピウエハー)事業は,国内外の大手のパワー半導体メーカーとの取引実績があり,SiCエピウエハー市場でトップシェアを有しているという。

同事業は,同社がこれまで蓄積したIPポートフォリオや開発ノウハウなどのリソースを最大限活用し,SiCエピウエハーとその原材料であるSiCウエハーを8インチへ大口径化させ,欠陥密度を1桁以上低減することで,次世代パワー半導体の低コスト化を実現する計画。

同社の挑戦的な提案内容とSiCエピウェハー事業における実績が評価され,今回の採択に至ったという。同事業では,同社はSiCバルク単結晶の高速成長技術開発において産業技術総合研究所と協力して取り組む。また,研究開発成果は複数のデバイスメーカーによる評価を得て,社会実装を目指す。なお,同事業の事業期間は,2022年度から2030年度までの9年間だとしている。

その他関連ニュース

  • 阪大ら,Ag-Si合金にパワー半導体接合材の適性発見 2024年09月11日
  • 阪大,青色半導体レーザーでAlN基板へ純銅皮膜形成 2024年09月10日
  • 阪大ら,X線回折法でGaN結晶中の3次元歪み場を検出 2024年06月13日
  • 阪大ら,高純度GaNは光りにくい理由が変わると解明 2024年06月10日
  • 【解説】環境配慮を意識した技術・製品開発へ―GaN成長技術にも有毒ガス排除の動き 2024年06月04日
  • CFD,大電流パワー半導体用光プローブ電流センサー開発
    CFD,大電流パワー半導体用光プローブ電流センサー開発 2024年04月19日
  • 日清紡マイクロ,琵琶湖半導体構想に参画 2024年03月29日
  • 古河電工,光チップレット実装技術でNEDOプロ採択 2024年01月30日