古河電気工業は，DFBレーザーダイオードチップの生産能力を2倍超に増強すると発表した（ニュースリリース）。
新しい情報通信サービスの普及にともない，通信トラフィックは増大し続けている。そのため，基幹系ネットワークからデータセンターおよびアクセス系ネットワークまでのいたる所において，さらなる大容量化が求められている。
データセンターやアクセス系ネットワークにおいては，小型かつ低消費電力を実現できる強度変調方式の光トランシーバが用いられている。近年では，小型・高集積，かつ低消費電力，低コストの面で強みを持つシリコンフォトニクス技術が広く採用されており，単一波長で高出力な光源としてDFBレーザーダイオードチップが多く搭載されている。
今後，通信トラフィックの増大にともなう光トランシーバの需要拡大により，搭載されるDFBレーザーダイオードチップも更に需要が高まることが見込まれる。
同社は2000年からDFBレーザーダイオードチップを製造している。今回，GAFAMの引き続き旺盛なデータセンター投資，および全世界的なアクセス系ネットワークでの帯域需要の高まりを受け，DFBレーザーダイオードチップの生産能力を2倍超へ増強する。また，今後も需要が高まることを踏まえ，更なる増産投資も検討するという。
同社は今後，Co-Packaged Optics（CPO）やIOWN構想など，将来的な光電融合へ向けた超集積時代の光源に対する要求特性に応えていくためにも，DFBレーザーダイオードチップの技術開発を進めていくとしている。
