ギガフォトン,EUV集光ミラー反射率低下量を更新

ギガフォトンは,現在開発中のEUVスキャナー用レーザー生成プラズマ(LPP)光源について,最先端半導体量産ラインでの稼働を想定したパイロット光源にて集光ミラー反射率低下量-0.4%/Bplsを達成し,ボトルネック解消へ大きく前進したと発表した(ニュースリリース)。

同社は今夏,独自開発技術である磁場を使ったデブリ除去技術において,水素フローの最適化を行ない,実集光ミラーを搭載したパイロット光源での寿命試験を実施し,集光ミラーの反射率低下量,-0.4%/Bplsという値を達成した。この数値はミラー寿命3か月に相当する。

これについて同社は,4月に行なった同試験(反射率低下量-10%/Bpls)に比べ大幅な進展であり,大きな技術ボトルネックが解消されたことでEUV光源が市場導入に大きく近づいたことを示すものだとしている。

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