大阪大学の研究グループは，10秒～30秒の簡単な溶液処理によって，3%以下の反射率のシリコンウエハーを形成する方法を開発した（ニュースリリース）。この技術を結晶シリコン太陽電池に用いて，反射防止膜を形成しない極単純な構造の太陽電池で，20%の変換効率を達成した。

シリコンの反射率は，平坦面では30～55%と高く，反射防止が太陽電池の高効率化には必須。単結晶シリコンでは，KOHやNaOH等の強アルカリ性水溶液で20分程度エッチングすることによって，ピラミッド構造を形成して反射率を低減させることが一般的。しかし，ピラミッド構造の形成後も反射率は10%以上あり，反射防止膜を形成する必要があった。反射防止膜の形成は，プラズマCVD法等の高価でスループットが低い装置が必要で，高コストの一因となっている。

多結晶シリコンにはアルカリエッチングを利用できないため，酸エッチング（硝酸＋フッ化水素酸水溶液）を用いてテクスチャー構造を形成するが，反射率は20%以上とあまり低くすることはできなかった。一方，研究グループが開発した化学的転写（surface structure chemical transfer，SSCT）法では，単結晶シリコンでも多結晶シリコンでも，3%以下の極低反射率にすることができる。

この方法ではどの方向から入射する光もほとんど反射しないので，反射防止膜を形成する必要がない。一方，シリコンナノクリスタル層は莫大な表面積を持つので，効果的な表面パッシベーション処理を行なわなければ，光生成した電子とホールが表面で再結合して消滅し，変換効率が低下する。

そこで再結合を防止するために，リン珪酸ガラス法（PSG法）という新規の方法を開発した。PSG法を用いない場合の太陽電池の変換効率は約15%だったが，これを用いることによって20%にまで向上した。

安価な固定砥粒法・多結晶シリコンを，この技術では容易に極低反射率化することができ，太陽電池に用いることができる。開発した技術を用いれば，太陽電池の製造コストを約2割低減できるとしている。