古河電気工業は，高出力化に適した波長可変レーザーチップを新たに開発し，小型ITLAの更なる狭線幅・高出力化を実現した（ニュースリリース）。

近年，通信基幹網及びデータセンター間での通信トラフィックが世界的に増加している。このようなトラフィック増加に対応するため，光デジタルコヒーレント方式による100Gb/s，200Gb/sの大容量伝送システムの導入が進んできた。

同社は，光デジタルコヒーレント方式の信号光および局発光用の小型ITLAを製品化しているが，通信トラフィックは加速度的な増加が続いており，市場及び顧客からは400Gb/s超，更には1Tb/sを超える大容量化に対応するため，ITLAの更なる狭線幅・高出力化が望まれていた。

今回同社は，長年培ってきたInP（Indium Phosphide）半導体チップ技術により，独自の回折格子構造を持つレーザーアレイと低損失光カプラーをモノリシック集積し，世界トップレベルの高出力化と狭線幅化を同時に実現した「狭線幅・高出力 小型ITLA」の開発に成功した。

この高出力・狭線幅化は，同社の持つ高精度パッケージング技術により消費電力など他の特性を損なわずに，従来と同等以下のパッケージサイズ（下記参照）で実現した。コマンドインターフェースはOIFで標準化されている規格に対応しており，光通信機器へ容易に導入できるという。同社では今後サンプル提供を開始し，その後速やかに量産体制を確立するとしている。