新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）プロジェクトにおいて東京大学および光電子融合基盤技術研究所（PETRA），東京工業大学他による研究開発成果2件が，半導体デバイス分野で世界的に権威のある国際学会IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting）に採択された（ニュースリリース）。12月3日から米国サンフランシスコで開催されているIEDM2016で成果を発表する。

採択されたのは，東京大学およびPETRAによるNEDOプロジェクト「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」において実証中の，ウエハーボンディング技術によるInGaAsP／SiハイブリッドMOS構造を用いた光変調器。

もう一件は，東京工業大学などによるNEDOプロジェクト「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス」において実証中の，微細化によるシリコンパワートランジスタの性能向上。

「超低消費電力型光エレクトロニクス実装システム技術開発」プロジェクトによる発表成果は，Si基板上にウェハーボンディング技術を用いてInGaAsP層を貼り合せることで形成したInGaAsP／SiハイブリッドMOS構造の光変調器を世界で初めて実証したもの。これにより，シリコンフォトニクスによる高効率光変調器の実現とデータ伝送の省電力化への貢献が期待されるとしている。