ギガフォトンと三菱電機は，EUV露光用光源（以下EUV光源）向けのドライバCO2レーザを共同開発した。また，開発中のEUV光源においても，平均15Wの出力を達成した。
今回のEUV光15Wの出力は，ギガフォトンにて開発中のプロトタイプEUV光源にて達成された。現在，市場における光源出力は10W程度だが，これを超えることに成功した。また，ドライバCO2レーザにおいては，既に20kW以上の出力を実験で達成し，これでEUV露光での本格的な半導体の量産に必要とされる，EUV光源出力250Wを実現するための必須技術が実現した。
ギガフォトンは，高効率・高出力で安定したEUV光源を低コストで実現するため，ダブルパルス・レーザープロデューストプラズマ（LPP）方式，超電導磁石を使ったデブリ除去技術等，独自技術によるEUV光源開発に取り組んでいる。EUV光源では，すず（Sn）ターゲット（ドロップレット）に対し，ドライバレーザから高エネルギーのパルスレーザ光を照射する事でSnをプラズマ化しEUV発光させる。
EUV光源を実現するためには，EUV発光時の効率の向上，EUV発光時にドロップレットから発生するSnデブリの効率的な除去等が重要な課題となる。ダブルパルスLPP方式は，ドライバレーザとして，短波長の固体レーザによるプリパルスとCO2レーザによるメインパルスを組み合わせる方式。これらレーザの最適な組み合わせにより，高いEUV発光効率を実現。高効率で大出力のEUV光源を可能とする。
また，デブリ除去技術として，超電導磁石による磁場を用いている。この磁場により，ドロップレットから発生するSnデブリをSnキャッチャーへガイドすることで，効率的に除去する。これにより，コレクターミラーの寿命を最大化し，コストとダウンタイムの抑制を実現する。
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