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近大,SiCの高効率精密研磨法を開発

近畿大学の研究グループは,次世代の半導体材料であるSiC(炭化ケイ素)の新たな精密研磨技術の開発に成功した(ニュースリリース)。 SiCはSi(シリコン)に代わる次世代の半導体材料で,Siよりも電力損失が少なく,発熱量が […]