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東大,IGZOと不揮発性メモリを3D集積

東京大学の研究グループは,極薄の酸化物半導体IGZOを用いたトランジスタと抵抗変化型不揮発性メモリを三次元集積したデバイスの開発に成功した(ニュースリリース)。 通常のメモリ配列は二次元構造であり,ネットワークのモデルが […]