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東北大ら，次世代相変化メモリの新材料を開発

東北大学の研究グループは，産業技術総合研究所および韓国Hanyang大学らと共同で，既存材料とは逆の電気特性を示す相変化材料（Cr2Ge2Te6）の開発に成功した（ニュースリリース）。 次世代不揮発性メモリとして，相変化...

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