磁気抵抗メモリ

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  • 東大ら,歪みで異常ホール効果をスイッチング

    東京大学,加ブリティッシュコロンビア大学,米コーネル大学,中央大学,米ジョンズホプキンス大学,英バーミンガム大学は,磁化をほとんど持たないにもかかわらず,室温で巨大な異常ホール効果を示す反強磁性体Mn3Snにおいて,一軸...

    2022.08.19

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