オンセミ,チェコのSiC製造設備を拡張

米オンセミは,チェコ共和国の炭化ケイ素(SiC)製造施設拡張を完了したと発表した(ニュースリリース)。

同社は2019年から,同国に既存のシリコン・ポリッシュド・ウエハーおよびエピタキシーウエハー及びダイ製造に加え,SiCポリッシュドウエハーおよびSiCエピタキシー(EPI)ウエハーの製造を追加した。

当初の敷地が手狭になったため,ウエハーとSiC EPIの生産能力をさらに拡大するために,昨年から新棟の増設工事に着手していた。この施設のSiC生産能力は拡張により,今後2年間で16倍になり,2024年末までに200名の雇用を創出する予定だという。

同社はこれまでこの施設に1億5千万ドル以上を投資しており,2023年までにさらに3億ドルを投資する計画。これにより「チェコ共和国でのSiC投資が投資分野における多大な貢献」として評価され,外国投資協会(AFI: Association for Foreign Investments)章を受賞した。

同社は米ニューハンプシャー州でのSiCブール生産の拡大と併せて,今回のSiC生産能力の拡大により,SiCベースソリューションへの需要の急増に対応するために必要な供給保証を提供できるとしている。

その他関連ニュース

  • 阪大ら,Ag-Si合金にパワー半導体接合材の適性発見 2024年09月11日
  • 阪大,青色半導体レーザーでAlN基板へ純銅皮膜形成 2024年09月10日
  • 積水化学,自動車HUD用中間膜向け増産ライン設置 2024年08月01日
  • 浜ホト,半導体レーザーの増産に向け新棟建設 2024年07月31日
  • 三菱ケミ,EUV向け感光性ポリマー生産能力を増強 2024年06月17日
  • 阪大ら,X線回折法でGaN結晶中の3次元歪み場を検出 2024年06月13日
  • DNP,第8世代向けメタルマスク生産ラインを稼働 2024年06月13日
  • 阪大ら,高純度GaNは光りにくい理由が変わると解明 2024年06月10日