物質材料研究機構（NIMS），筑波大学，高エネルギー加速器研究機構は，室温で桁違いに大きなドレイン電流の増減現象（負性抵抗）を示す有機pn接合トランジスタの負性抵抗の起源について，光電子顕微鏡による“伝導電子を可視化”する技術により明らかにした（ニュースリリース）。

トランジスタがオン状態では，面内pn接合界面で形成される急峻な電位変化により，電子伝導が助長されること，またオフ状態ではp型あるいはn型半導体全体が空乏化し，電子の流れを阻害することで負性抵抗が発現することを明らかにしたとしている。