三菱電機は，光トランシーバー用として5℃から85℃で動作可能な半導体レーザーダイオードチップ「広動作温度範囲　CWDM 100Gbps（53Gbaud PAM4）EMLチップ」を開発し，11月1日にサンプル提供を開始する（ニュースリリース）。

この製品は，高光出力に優れる埋込型レーザーと，高消光比・広帯域に優れるハイメサ型変調器を同一チップ上に集積した独自のハイブリッド導波路構造を採用し，レーザー部および変調器部の設計パラメータを最適化することで，5℃から85℃の広動作温度範囲で53Gbaud PAM4の高速動作（発振波長：1271/1291/1311/1331nm）を実現した。

光トランシーバーにこのチップを4つ搭載することで，データセンターの400Gb/s光ファイバー通信を実現できる。また，広動作温度範囲の実現により，チップの冷却機構が不要となり，光トランシーバーの低消費電力化と低コスト化にも貢献するとしている。