京セミ，高速フォトダイオードを開発

京都セミコンダクターは，データセンター（DC）内，DC間で用いられる4値変調方式（PAM4）を利用する400Gb/s伝送システム向けに，40GHzと広い変調帯域を有するインジウムガリウムヒ素フォトダイオード「KP-H KPDEH12LC-CC1C」を開発した（ニュースリリース）。

現在は1レーン（線路）当たりの伝送速度25Gb/sを4つ束ねて100Gb/sとする伝送が主流となっているが，さらに，400Gb/sから800Gb/sへの拡大要求が市場に強いことを受け開発された。

この製品は，40GHzのPD変調帯域を実現するため，PDを搭載するキャリアの厚み，キャリア上に配置される高周波用電極パターンの幅・長さなどを電磁シミュレーションを用いて最適設計されている。その結果，PDの後段に搭載されるトランスインピーダンスアンプと一体の周波数帯域として400Gb/s伝送に必要な40GHzを実現しているという。

また，高周波的に最適設計されたキャリアに搭載され，光が入射するPD裏面には集光レンズが形成されている。そのため入射光が効率的に光吸収領域に集められ，入射光を供給する光ファイバーとPDの位置合わせが容易になるという。さらに，PDチップは面積的に約2倍の大きさがあるキャリアに搭載されているため，取り扱いも簡単になるとしている。

2020年11月に量産開始を予定。同社では，本格的な5G時代，またその先に向けて，拡大を続ける伝送システムの高速化，大容量化への要求に応えていくとしている。