大日本印刷（DNP）は，デジタル製品の記憶媒体である3D（3次元）構造のNAND型フラッシュメモリーの回路パターンを形成する際に使用が見込まれる，ナノインプリントリソグラフィ（NIL）のテンプレート（型）の生産設備において40億円の追加設備投資を実施し，量産体制を強化する（ニュースリリース）。

DNPは，従来からNILのテンプレート供給及び開発に注力しており，今回，3D構造のNAND型フラッシュメモリーの大幅な需要増加と低コスト化に対応するために，10nm台のNIL用テンプレートの生産体制を増強する。

近年，NAND型フラッシュメモリーの需要が急速に増加している。市場では，NAND型フラッシュメモリーの出荷額が2015年の300億ドル前半に対して2018年には500億ドル台に達し，その70%以上が3D構造になると予測されている（ガートナー社予測）。しかし，従来のフォトリソグラフィ技術による半導体製造方法では，工程が複雑な3D構造への対応が困難で，製造装置が高価になるなど，製造コストの増加が課題となっている。

この課題に対し，NILを活用した製造方法は，テンプレートから直接回路パターンを転写して複製するため，高価な光学系の設備を使用せず，比較的安価な露光装置での製造が可能。また，製造工程も簡略化できるため，従来のフォトリソグラフィ技術による製造方法に比べ，約3分の1のコストダウンに繋がる。

同社は2003年よりNILのプロセスに必須のテンプレートの開発を行なっている。2009年以降は東芝やキヤノンと共同でNILのプロセスの開発を進めると共に，これまで70億円の投資を実施して2015年には回路線幅20nmのテンプレートの量産体制を確立した。また，次世代半導体に向けて10nm台のNIL用の原版となるマスターテンプレートと，マスターテンプレートから複製するレプリカテンプレートの開発にも成功している。

世界の半導体メーカー各社は，3D構造NAND型フラッシュメモリーの製造コストの削減やさらなる微細化に対応するために，NILによる半導体製造技術の確立と生産体制を強化している。DNPもこれら半導体メーカー各社の動きに対応すべく，今回，高解像度高速EB描画（マルチビーム描画装置）やドライエッチングなどの関連プロセス装置など，40億円の設備投資による増強を図り，NILテンプレートの需要増に対応できるよう量産体制を整備する。

同社は，今後の半導体のさらなる微細化とコスト削減に対応する開発・生産体制を強化することにより，NILテンプレートで2019年に約100億円の売上げを目指すとしている。