慶應義塾大学の研究グループは,規則的に並んだシリコン原子が,中心の金属原子を丸くカゴ状に取り囲む,新たなナノ物質「金属内包シリコンナノクラスター」を気相合成し,固体表面上で薄膜化する技術を開発した(ニュースリリース)。
ナノクラスターは,数個から千個程度の原子・分子が集合した数nmほどの大きさの超微粒子。その物理・化学的性質を原子数や組成,荷電状態によって制御できることが特徴で,触媒,電子デバイス,磁気デバイスなどへの応用が期待されている。特にエレクトロニクス分野では,シリコンなど半導体材料のナノクラスターを積み木のように組み上げて,新たな機能を持つ超微細構造を生み出す技術が注目されている。
ナノクラスターを固体表面で固定し薄膜化する技術は,その基盤となる技術の1つと言える。しかし,気相合成ナノクラスターの構造や荷電状態は,固体表面上で変化しやすく,本来の構造や性質・機能を保持しつつ固体材料化することは極めて困難だった。
研究グループでは,16個のシリコン原子が,中心にある1個のタンタル原子を丸くカゴ状に包み込む金属内包シリコンクラスター(Ta@Si16ナノクラスター)を気相合成した。さらに,炭素フラーレン(C60)で表面修飾した基板上にTa@Si16ナノクラスターを蒸着し,C60とTa@Si16ナノクラスターの共有結合により複合体化することで,Ta@Si16ナノクラスターを固体表面に固定し薄膜化することに成功した。このとき,ナノクラスターの構造と荷電状態が薄膜化前と変わらずに保持されていることも,実験と理論の両面から実証した。
この成果について研究グループは,ナノクラスターを基本単位として新たな機能材料や超高集積光・電子デバイスを実現するための基盤技術として,利用価値が高いと考えている。
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