三菱電機,高周波用ハイブリッドSiCパワー半導体モジュールのサンプル提供を開始



三菱電機は,ダイオード部にSiCを用いた高周波用ハイブリッドSiCパワー半導体モジュール6品種(1200V/100~600A 2in1)のサンプル提供を5月15日に開始する。

SiCを用いることで,太陽光発電用パワーコンディショナ,無停電電源装置(UPS),医療機器用電源などのインバーターを使用したパワーエレクトロニクス機器のさらなる高効率化や小型・軽量化に貢献する(プレスリリース)。

新製品はダイオード部にSiC-SBD(半導体と金属の接合部に生じるショットキー障壁を利用したダイオード),トランジスタ部に高周波用Si-IGBTを搭載したハイブリッド構成となっており,SiC-SBDによりリカバリー電流が発生せず,スイッチング損失が大幅に減ることで電力損失が約40%低減した。

高速スイッチングに対応した低インダクタンスパッケージを採用し,100A,150A品は,従来製品に比べ内部インダクタンスを約30%低減。また従来製品との外形互換性を確保することにより,置き換えも可能。