富士通と富士通セミコンダクターは，GaNパワーデバイス（電源用）について，米Transphorm, Inc.と事業統合に関する契約，ならびに富士通と富士通セミコンダクターによるTransphormへの少数株主持分の取得に関する契約を締結した。
富士通および富士通セミコンダクターは，日本においてGaNパワーデバイス事業の新会社を設立し，両社が保有するGaNパワーデバイスの設計・開発資産や知的財産権を新会社に拠出する。両社は新会社の株式をTransphormに現物出資し，その対価としてTransphormの株式を取得する。この取引により，Transphormは新会社を完全子会社とする。
さらに，富士通と富士通セミコンダクターはTransphormへ現金を出資し，少数株主としてTransphormの経営に関与する。また富士通および富士通セミコンダクターでGaNパワーデバイス事業に直接従事している従業員は新会社に出向し，Transphormの従業員とともに，継続して開発及び事業に従事していく。
事業統合後，Transphormは，同社の米国試作ラインと富士通セミコンダクターの会津若松工場の両拠点で研究開発を進める。富士通セミコンダクターは会津若松工場を前工程量産工場として，Transphormから独占的に製造を受託する。
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