産総研、狭い間隔で電子部品を実装する技術により高機能インターポーザーを開発

産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門副研究部門長の青柳昌宏氏らは、アリーナと共同で、狭間隔部品実装技術を用いた高機能部品内蔵基板(部品内蔵インターポーザー)を開発した。

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電子回路を低消費電力化するために電源電圧を低くすると、LSI上で発生する高周波電源ノイズにより誤動作が生じやすくなる。その対策として、電源回路にデカップリング・キャパシターを搭載して電源ネットワークのインピーダンスを広い周波数帯域で低い値に抑える方法により電子回路の安定動作が確保されている。しかし従来のインターポーザーでは、高い周波数帯域まで低インピーダンスにできず、他の方式であっても製造コストや製品信頼性の面で難があった。

今回、電源ネットワークの低インピーダンス化に向け、0.1 mmの狭い間隔で電子部品を実装する技術を用いて、キャパシターを従来よりも高密度で内部に実装した部品内蔵インターポーザーを開発した。このインターポーザーでは高周波数帯域まで電源ネットワークのインピーダンスを低減しているため、低消費電力で高機能な電子回路の実現への貢献が期待される。

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