NIMS 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点（WPI-MANA）の研究グループは、室温を超える高温でもゼロ抵抗電流を運ぶことが可能な物質の設計に成功した。

研究グループは、電子系の対称性解析や第一原理計算により、ペロフスカイト構造を持つ反強磁性絶縁体に金の化合物一原子層を挿入し、垂直方向にゲート電圧を印加することによって、新しいトポロジカル状態が実現できることを理論的に明らかにした。トポロジカル物質の探索及び新規量子機能開発の新しい方向を示す研究成果である。

この物質は大きなスピン軌道相互作用を持ち、スピン偏極したエッジ量子状態に特徴づけられる新しいトポロジカル状態を示す。スピン偏極は電場調整で制御でき、スピントロニクスにも役立つ。

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