東北大学原子分子材料科学高等研究機構（AIMR）助手の陳林氏、教授の松倉文礼氏、同大学電気通信研究所教授（同大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター・センター長、同大学原子分子材料科学高等研究機構・主任研究者兼任)の大野英男氏は、スピントロニクス材料中に流れるスピン流の定量的評価に成功した。

陳氏らは強磁性半導体（(Ga,Mn)As）と非磁性半導体（p 型GaAs）の積層構造を用いて電圧の計測を行なった。強磁性体中の磁化の運動によって非磁性体中に電圧が生じるが、電圧の大きさは磁化の角度によって変化する。計測した電圧の外部磁界角度依存性を解析することで、スピン流により発生している電圧とそれ以外の効果によって発生している電圧を区別できることを示し、それらの分離に成功した。

今回の成果は、スピン流の定量的評価手法を確立したもので、今後のスピン流の基礎研究および応用研究に貢献が期待される。

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