産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門ナノスケール計測・プロセス技術研究グループ主任研究員の福田浩一氏らは、大規模集積回路（LSI）の基板上に転写する回路パターン（リソグラフィーパターン）の詳細な形状を反映できる回路特性解析システムを開発した。

今回開発したシステムは、リソグラフィーシミュレーションによって予測した微細パターンの詳細な形状をTechnology CAD（TCAD）に反映させて回路特性を解析する。このシステムを用いてフィンFETで構成したSRAMの回路特性を予測し、フィンFET特有のパターン形状の影響を明らかにした。また、このシステムは製造プロセスからデバイス構造の回路特性までを一貫してシミュレーションすることで、LSIの製造工程を最適化できるため、次世代大規模集積回路の設計への貢献が期待される。

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