ローム,MOSFETとIGBTの良特性を兼ね備えた新型トランジスタを発売

ロームは,サーバー電源,産機,省エネ家電などの電源やPFC回路向けに,機器の省エネ化に最適な高耐圧新型トランジスタ「Hybrid MOS」を開発した。2013年夏頃にサンプル出荷を開始する予定。

今回,ウエハ裏面を制御するという新しい構造を採用することで,スーパージャンクションMOSFETのメリットを維持したまま,高温・大電流性能の向上を実現した。これにより, 定格保証域が向上しただけでなく,高速スイッチング,低電流特性を含めたすべての特性において高性能が保証できるため,応用機器範囲も広がる。

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また,従来高温・大電流性能を必要とし,IGBTを使用していたハイパワー分野においても,高速スイッチングや低電流のメリットが提供できるため,機器の大幅な省エネ化にも貢献する。

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