ディスコは，従来にないレーザ加工によるインゴットスライス手法「KABRA」プロセスを開発した（ニュースリリース）。

従来，SiCインゴットからウエハーを切り出すのには，主にダイヤモンドワイヤソーが用いられている。しかし加工に時間がかかり，切断部分の素材ロスが多く，取り枚数が少ないといった課題から、SiCパワーデバイス生産時におけるコスト高の大きな要因となっていた。

開発したプロセスは，SiCインゴットの上面からレーザーを連続的に垂直照射することで，光吸収する分離層（以下KABRA層）を任意の深さへ扁平状に形成させ，このKABRA層を起点に剥離・ウェーハ化するという従来にないスライス加工方法。

レーザー照射により形成される改質痕は，原理的に入射方向（縦長）に伸びるため，従来，レーザ加工はスライス用途には不向きな手法だった。しかし同社は，集光されたレーザによりSiCが分解され，アモルファス状態のシリコン（Si）とカーボン（C）に分離する現象と，アモルファスカーボンの光吸収係数がSiCの約10万倍あることに着目して開発を進めた。

その結果，インゴット内部に対しレーザ入射方向と垂直方向にKABRA層を形成することに成功，スライス加工に最適なレーザー加工方法を見出した。

このプロセスは単結晶（4H・6H・半絶縁性）および多結晶のあらゆるSiCインゴットに適用でき，単結晶ではそのオフ角を問わないことも大きな特長だという。

このプロセス導入により，次世代パワーデバイス素材として期待される炭化ケイ素（SiC）ウェーハ生産の高速化，取り枚数増を実現し，生産性を劇的に向上させることが可能になるという。同社では，客先ワークによるテスト加工を既に開始している。

KABRAプロセスの優位性（φ4インチ、厚さ20mmのSiCインゴットから、指定厚350µmのウェーハを生産する場合）
既存プロセス【KABRAプロセス】
切断加工時間 2～3日【10分（レーザ照射＋剥離）】
インゴットスライス総加工時間（1枚あたり）1.6～2.4時間【25分】
切断時素材ロス（1枚あたり）約200µm【なし】
研削に伴う素材ロス（1枚あたり） 約100µm（両面ラップ研削）【約100µm（加工痕研削）】
1インゴットからのウェーハ取り枚数　30枚【44枚】
ラップ研削 16時間（多枚同時加工）【不要】
1インゴットあたり総加工時間 2.5～3.5日【18時間】